Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IXFN230N20T

Изображение служит лишь для справки






IXFN230N20T
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-227-4, miniBLOC
- MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
Date Sheet
Lagernummer 80
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:30 Weeks
- Монтаж:Chassis Mount
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:SOT-227-4, miniBLOC
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:220A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:1090W Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:GigaMOS™
- Опубликовано:2007
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:4
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Nickel (Ni)
- Дополнительная Характеристика:UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:4
- Код JESD-30:R-PUFM-X4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:7.5m Ω @ 60A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 8mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:28000pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:378nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):200V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):220A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0075Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода:630A
- Минимальная напряжённость разрушения:200V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):3000 mJ
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 80
Итого $0.00000