(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные VN0104N3-G
Изображение служит лишь для справки
VN0104N3-G
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Trans MOSFET N-CH 40V 0.35A 3-Pin TO-92
Date Sheet
Lagernummer 5830
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：2 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Количество контактов：3
- Вес：219.992299mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：350mA Tj
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：1W Tc
- Время отключения：6 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：HIGH INPUT IMPEDANCE
- Положение терминала：BOTTOM
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：1W
- Время задержки включения：3 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3 Ω @ 1A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：65pF @ 25V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：350mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.5A
- Сопротивление открытого канала-макс：3Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку：40V
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：8 pF
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 5830
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
