FQP8P10

Name: ON Semiconductor FQP8P10
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (15 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3
MOSFET P-CH 100V 8A TO-220
Date Sheet

Lagernummer 30000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Вес：1.8g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：65W Tc
Время отключения：20 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：QFET®
Опубликовано：2002
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Завершение：Through Hole
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-100V
Моментальный ток：-8A
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：65W
Время задержки включения：11 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：530m Ω @ 4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：470pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15nC @ 10V
Время подъема：110ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：35 ns
Непрерывный ток стока (ID)：8A
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Максимальный сливовой ток (ID)：8A
Напряжение пробоя стока к истоку：-100V
Двухпитание напряжения：-100V
Номинальное Vgs：-4 V
Высота：16.3mm
Длина：10.67mm
Ширина：4.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 30000

Итого $0.00000