FDT86256

Name: ON Semiconductor FDT86256
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (12 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-261-4, TO-261AA
MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4
Date Sheet

Lagernummer 549

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
Вес：188mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.2A Ta 3A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.3W Ta 10W Tc
Время отключения：4.8 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Серия：PowerTrench®
Опубликовано：2011
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：4
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Код JESD-30：R-PDSO-G4
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.3W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：2.7 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：845m Ω @ 1.2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：73pF @ 75V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2nC @ 10V
Время подъема：1.7ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：2.6 ns
Непрерывный ток стока (ID)：1.2A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：3A
Сопротивление открытого канала-макс：0.845Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：150V
Максимальный импульсный ток вывода：2A
Высота：1.7mm
Длина：6.7mm
Ширина：3.7mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 549

Итого $0.00000