Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQ4080EY-T1_GE3
Изображение служит лишь для справки
SQ4080EY-T1_GE3
- Vishay Siliconix
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 °C MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 14196
- 1+: $1.35661
- 10+: $1.27983
- 100+: $1.20738
- 500+: $1.13904
- 1000+: $1.07457
Zwischensummenbetrag $1.35661
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:18A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:7.1W Tc
- Время отключения:19.1 ns
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PDSO-G8
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Каналов количество:1
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:7.1W
- Время задержки включения:11.4 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:85m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1590pF @ 75V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:33nC @ 10V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):18A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Сопротивление открытого канала-макс:0.085Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:150V
- Максимальная температура перехода (Тj):175°C
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):55 pF
- Высота:1.75mm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 14196
- 1+: $1.35661
- 10+: $1.27983
- 100+: $1.20738
- 500+: $1.13904
- 1000+: $1.07457
Итого $1.35661