(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TK32A12N1,S4X
Изображение служит лишь для справки
TK32A12N1,S4X
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
Date Sheet
Lagernummer 113
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220SIS
- Вес：6.000006g
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：32A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：30W Tc
- Время отключения：43 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：U-MOSVIII-H
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Время задержки включения：33 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：13.8mOhm @ 16A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 500μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2000pF @ 60V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：34nC @ 10V
- Время подъема：14ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：120V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：14 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：32A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Входной ёмкости：2nF
- Сопротивление стока к истоку：11mOhm
- Rds на макс.：13.8 mΩ
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 113
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
