SIRA02DP-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SIRA02DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.8 (19 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
PowerPAK® SO-8
MOSFET 30V 2mOhm@10V 50A N-Ch G-IV
Date Sheet

Lagernummer 7238

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8
Количество контактов：8
Вес：506.605978mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：50A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：5W Ta 71.4W Tc
Время отключения：42 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2011
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Код JESD-30：R-PDSO-C5
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：5W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：31 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2m Ω @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：6150pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：117nC @ 10V
Угол настройки (макс.)：+20V, -16V
Время падения (тип)：16 ns
Непрерывный ток стока (ID)：50A
Пороговое напряжение：1.1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.002Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：45 mJ
Номинальное Vgs：1.1 V
Высота：1.12mm
Длина：6.25mm
Ширина：5.26mm
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 7238

Итого $0.00000