(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STI6N80K5
Изображение служит лишь для справки
STI6N80K5
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Date Sheet
Lagernummer 405
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя：17 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Количество контактов：3
- Вес：2.084002g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.5A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：85W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：SuperMESH5™
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Основной номер части：STI6N
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：110W
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.6 Ω @ 2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：255pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7.5nC @ 10V
- Непрерывный ток стока (ID)：4.5A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
- Напряжение пробоя стока к истоку：800V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：85 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 405
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
