(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TK3A60DA(Q,M)
Изображение служит лишь для справки
TK3A60DA(Q,M)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack
- TOSHIBA TK3A60DA(Q,M) Power MOSFET, N Channel, 2.5 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 2.4 V
Date Sheet
Lagernummer 35
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：52 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220SIS
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.5A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：30W Tc
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：π-MOSVII
- Опубликовано：2009
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Распад мощности：30W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.8Ohm @ 1.3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：380pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Непрерывный ток стока (ID)：2.5A
- Пороговое напряжение：2.4V
- Входной ёмкости：380pF
- Сопротивление стока к истоку：2.8Ohm
- Rds на макс.：2.8 Ω
- REACH SVHC：Unknown
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 35
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
