(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные R6006JNXC7G
Изображение служит лишь для справки
R6006JNXC7G
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-2 Full Pack
- NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006
Date Sheet
Lagernummer 990
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-2 Full Pack
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：15V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：43W Tc
- Рабочая температура：150°C TJ
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Положение терминала：SINGLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：936m Ω @ 3A, 15V
- Втс(th) (Макс) @ Id：7V @ 800μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：410pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15.5nC @ 15V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：6A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.936Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：18A
- Минимальная напряжённость разрушения：600V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：117 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 990
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
