Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STS12N3LLH5
Изображение служит лишь для справки
STS12N3LLH5
- STMicroelectronics
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
- Date Sheet
Lagernummer 735
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:12A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:2.7W Tc
- Время отключения:32.4 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Серия:STripFET™ V
- Код JESD-609:e4
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Основной номер части:STS12
- Число контактов:8
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:2.7W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:8.6 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:7.5m Ω @ 6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1290pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:8nC @ 4.5V
- Время подъема:11.2ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):+22V, -20V
- Время падения (тип):6 ns
- Непрерывный ток стока (ID):12A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):22V
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0097Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:30V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 735
Итого $0.00000