SIRA14DP-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SIRA14DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.9 (8 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
PowerPAK® SO-8
VISHAY SIRA14DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 30 V, 0.00425 ohm, 10 V, 1.1 V
Date Sheet

Lagernummer 167

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8
Количество контактов：8
Вес：506.605978mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：58A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：3.6W Ta 31.2W Tc
Время отключения：18 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Digi-Reel®
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2011
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Код JESD-30：R-PDSO-F5
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：3.6W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：15 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.1m Ω @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1450pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：29nC @ 10V
Угол настройки (макс.)：+20V, -16V
Время падения (тип)：16 ns
Непрерывный ток стока (ID)：20A
Пороговое напряжение：1.1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Высота：1.0668mm
Длина：5.969mm
Ширина：5.0038mm
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 167

Итого $0.00000