Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN6013LFG-7
Изображение служит лишь для справки
DMN6013LFG-7
- Diodes Incorporated
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
- Date Sheet
Lagernummer 140
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:23 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerVDFN
- Количество контактов:8
- Вес:72.007789mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:10.3A Ta 45A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:1W Ta
- Время отключения:27.6 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2014
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:5
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:S-PDSO-N5
- Каналов количество:1
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:6.2 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:13m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2577pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:55.4nC @ 10V
- Время подъема:9.9ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):11.7 ns
- Непрерывный ток стока (ID):45A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Минимальная напряжённость разрушения:60V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 140
Итого $0.00000