SIRA12DP-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SIRA12DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Price: 1.0948545 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (17 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
PowerPAK® SO-8
MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV
Date Sheet

Lagernummer 5601

1+： $1.09485
10+： $1.03288
100+： $0.97442
500+： $0.91926
1000+： $0.86723

Zwischensummenbetrag $1.09485

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8
Количество контактов：8
Вес：506.605978mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：25A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：4.5W Ta 31W Tc
Время отключения：25 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2001
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：4.3mOhm
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Код JESD-30：R-PDSO-C5
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：4.5W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：20 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.3m Ω @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2070pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：45nC @ 10V
Угол настройки (макс.)：+20V, -16V
Время падения (тип)：20 ns
Непрерывный ток стока (ID)：25A
Пороговое напряжение：1.1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Высота：1.12mm
Длина：6.25mm
Ширина：5.26mm
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 5601

1+： $1.09485
10+： $1.03288
100+： $0.97442
500+： $0.91926
1000+： $0.86723

Итого $1.09485