Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PSMN5R6-60YLX
Изображение служит лишь для справки
PSMN5R6-60YLX
- Nexperia USA Inc.
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-100, SOT-669
- PSMN5R6-60YL - N-channel 60 V, 5.6 mO logic level MOSFET in LFPAK56
- Date Sheet
Lagernummer 517
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-100, SOT-669
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:100A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:167W Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:4
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Число контактов:4
- Нормативная Марка:IEC-60134
- Код JESD-30:R-PSSO-G4
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:5.6m Ω @ 25A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:5026pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:66.8nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):100A
- Код JEDEC-95:MO-235
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0072Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода:405A
- Минимальная напряжённость разрушения:60V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):88.2 mJ
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 517
Итого $0.00000