(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQJ416EP-T1_GE3
Изображение служит лишь для справки
SQJ416EP-T1_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® SO-8
- Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 12707
- 1+： $1.08819
- 10+： $1.02660
- 100+： $0.96849
- 500+： $0.91367
- 1000+： $0.86195
Zwischensummenbetrag $1.08819
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8
- Поставщик упаковки устройства：PowerPAK® SO-8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：27A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：45W Tc
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：30mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：800pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 12707
- 1+： $1.08819
- 10+： $1.02660
- 100+： $0.96849
- 500+： $0.91367
- 1000+： $0.86195
Итого $1.08819
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
