Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUK7Y19-100EX
![](https://static.whisyee.com/dimg/nexperiausainc-phpt61003pyx-4810.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
BUK7Y19-100EX
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-100, SOT-669
- MOSFET N-CH 100V LFPAK
Date Sheet
Lagernummer 4765
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-100, SOT-669
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:169W Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2013
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:4
- Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Число контактов:4
- Нормативная Марка:AEC-Q101; IEC-60134
- Код JESD-30:R-PSSO-G4
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Напряжение стока-исток (Vdss):100V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Код JEDEC-95:MO-235
- Максимальный сливовой ток (ID):56A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.019Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода:225A
- Минимальная напряжённость разрушения:100V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):94.3 mJ
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 4765
Итого $0.00000