Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TPCC8008(TE12L,QM)
![](https://static.whisyee.com/dimg/toshibasemiconductorandstorage-tph2900enhl1q-3110.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
TPCC8008(TE12L,QM)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
Date Sheet
Lagernummer 200
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerVDFN
- Количество контактов:8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:25A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния:700mW Ta 30W Tc
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Серия:U-MOSIV
- Опубликовано:2009
- Состояние изделия:Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:6.8m Ω @ 12.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 1A
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1600pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:30nC @ 10V
- Время подъема:7.9ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Время падения (тип):16 ns
- Непрерывный ток стока (ID):25A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):25V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 200
Итого $0.00000