Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTMFS5C430NLT1G
![](https://static.whisyee.com/dimg/onsemiconductor-nrvts560emfst1g-7282.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
NTMFS5C430NLT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
Date Sheet
Lagernummer 1977
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerTDFN
- Количество контактов:8
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния:3.8W Ta 110W Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Опубликовано:2015
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.5m Ω @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:4300pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:70nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):40V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):200A
- Пороговое напряжение:2V
- REACH SVHC:No SVHC
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 1977
Итого $0.00000