(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RSD100N10TL
Изображение служит лишь для справки
RSD100N10TL
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 100V 10A CPT3
Date Sheet
Lagernummer 44
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：20W Tc
- Время отключения：50 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2011
- Код JESD-609：e2
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Copper (Sn98Cu2)
- Форма вывода：GULL WING
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Время задержки включения：10 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：133m Ω @ 5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：700pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：18nC @ 10V
- Время подъема：17ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：20 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：10A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：100V
- Максимальный импульсный ток вывода：20A
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 44
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
