(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SISS26DN-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SISS26DN-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® 1212-8S
- MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S
Date Sheet
Lagernummer 4345
- 1+： $1.46543
- 10+： $1.38248
- 100+： $1.30423
- 500+： $1.23041
- 1000+： $1.16076
Zwischensummenbetrag $1.46543
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® 1212-8S
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：60A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：57W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET® Gen IV
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.5m Ω @ 15A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.6V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1710pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：37nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 4345
- 1+： $1.46543
- 10+： $1.38248
- 100+： $1.30423
- 500+： $1.23041
- 1000+： $1.16076
Итого $1.46543
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
