(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTMFS5C423NLT1G
Изображение служит лишь для справки
NTMFS5C423NLT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C423NLT1G MOSFET Transistor, N Channel, 150 A, 40 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V
Date Sheet
Lagernummer 560
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Количество контактов：5
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：3.7W Ta 83W Tc
- Время отключения：28 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2015
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Конфигурация элемента：Single
- Время задержки включения：12 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2m Ω @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3100pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：50nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：150A
- Пороговое напряжение：2V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Высота：1.95mm
- Длина：5.1mm
- Ширина：6.1mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 560
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
