STD5N60M2

Name: STMicroelectronics STD5N60M2
Brand: STMicroelectronics
Rating: 4.5 (18 reviews)

STMicroelectronics
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET POWER MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 663

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Срок поставки от производителя：16 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Вес：3.949996g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.5A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：45W Tc
Время отключения：70 ns
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Серия：MDmesh™ II Plus
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：STD5N
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：11.8 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.4 Ω @ 1.7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：211pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：8.5nC @ 10V
Время подъема：3ns
Угол настройки (макс.)：±25V
Время падения (тип)：15 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3.5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Напряжение пробоя стока к истоку：600V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：80 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 663

Итого $0.00000