NTD5862NT4G

Name: ON Semiconductor NTD5862NT4G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (5 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET NFET DPAK 60V 102A 6MOHM
Date Sheet

Lagernummer 784

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
Срок поставки от производителя：15 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：98A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：115W Tc
Время отключения：35 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2010
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Форма вывода：GULL WING
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：96W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：18 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.7m Ω @ 45A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：6000pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：82nC @ 10V
Время подъема：70ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：60 ns
Непрерывный ток стока (ID)：98A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：90A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0057Ohm
Минимальная напряжённость разрушения：60V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：205 mJ
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 784

Итого $0.00000