(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STB75NF75LT4
Изображение служит лишь для справки
STB75NF75LT4
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Trans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Date Sheet
Lagernummer 1538
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：75A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：300W Tc
- Время отключения：110 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：STripFET™ II
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：11mOhm
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
- Дополнительная Характеристика：LOW THRESHOLD
- Ток постоянного напряжения - номинальный：75V
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：245
- Моментальный ток：75A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Основной номер части：STB75N
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：300W
- Сокетная связка：DRAIN
- Время задержки включения：35 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：11m Ω @ 37.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4300pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：90nC @ 5V
- Время подъема：155ns
- Угол настройки (макс.)：±15V
- Время падения (тип)：60 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：75A
- Пороговое напряжение：2.5V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：15V
- Напряжение пробоя стока к истоку：75V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：680 mJ
- Высота：4.6mm
- Длина：10.4mm
- Ширина：9.35mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 1538
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
