(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STL10N60M2
Изображение служит лишь для справки
STL10N60M2
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 558
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя：26 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Количество контактов：8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5.5A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：48W Tc
- Время отключения：32.5 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Серия：MDmesh™ II Plus
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：580mOhm
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：STL10
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Время задержки включения：8.8 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：660m Ω @ 2.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：400pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：13.5nC @ 10V
- Время подъема：8ns
- Угол настройки (макс.)：±25V
- Время падения (тип)：13.2 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：5.5A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
- Напряжение пробоя стока к истоку：600V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 558
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
