Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHA2N80E-GE3
![](https://static.whisyee.com/dimg/vishaysiliconix-siha25n50ee3-0422.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
SIHA2N80E-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA
Date Sheet
Lagernummer 42
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:18 Weeks
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3 Full Pack
- Поставщик упаковки устройства:TO-220 Full Pack
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:2.8A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:29W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:E
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:2.75Ohm @ 1A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:315pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:19.6nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):800V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 42
Итого $0.00000