Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STW70N65M2
![](https://static.whisyee.com/dimg/stmicroelectronics-tm8050h8w-3064.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
STW70N65M2
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Date Sheet
Lagernummer 509
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:63A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:446W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:MDmesh™ M2
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Основной номер части:STW70N
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:46m Ω @ 31.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:5140pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:117nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):650V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 509
Итого $0.00000