(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQD10N30-330H_GE3
Изображение служит лишь для справки
SQD10N30-330H_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- N-Channel MOSFETs in DPAK Package Rated at 300 V, 10 A, 330 mO
Date Sheet
Lagernummer 2946
- 1+： $1.58876
- 10+： $1.49883
- 100+： $1.41399
- 500+： $1.33396
- 1000+： $1.25845
Zwischensummenbetrag $1.58876
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：107W Tc
- Время отключения：20 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Каналов количество：1
- Распад мощности：107W
- Время задержки включения：10 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：330m Ω @ 14A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2190pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：47nC @ 10V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Непрерывный ток стока (ID)：10A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
- Напряжение пробоя стока к истоку：300V
- Максимальная температура перехода (Тj)：175°C
- Высота：2.507mm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 2946
- 1+： $1.58876
- 10+： $1.49883
- 100+： $1.41399
- 500+： $1.33396
- 1000+： $1.25845
Итого $1.58876
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
