(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IXTH10N100D2
Изображение служит лишь для справки
IXTH10N100D2
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
Date Sheet
Lagernummer 548
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：24 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：695W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2011
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Положение терминала：SINGLE
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.5 Ω @ 5A, 10V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5320pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：200nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1000V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：10A
- Минимальная напряжённость разрушения：1000V
- Характеристика ТРП：Depletion Mode
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 548
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
