Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHG050N60E-GE3
![](https://static.whisyee.com/dimg/vishaysemiconductordiodesdivision-vs40tps16m3-9621.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
SIHG050N60E-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET N-CH 600V
Date Sheet
Lagernummer 414
- 1+: $7.62461
- 10+: $7.19303
- 100+: $6.78588
- 500+: $6.40177
- 1000+: $6.03941
Zwischensummenbetrag $7.62461
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:14 Weeks
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Поставщик упаковки устройства:TO-247AC
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:51A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:278W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:E
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:50mOhm @ 23A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:3459pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:130nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):600V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 414
- 1+: $7.62461
- 10+: $7.19303
- 100+: $6.78588
- 500+: $6.40177
- 1000+: $6.03941
Итого $7.62461