Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TP65H150LSG
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
TP65H150LSG
-
Transphorm
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 3-PowerDFN
- 650V 15A GAN FET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:3-PowerDFN
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:15A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:69W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Состояние изделия:Last Time Buy
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):3 (168 Hours)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:180m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4.8V @ 500μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:576pF @ 400V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:7.1nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):650V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000