(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IXTH12N150
Изображение служит лишь для справки
IXTH12N150
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 44
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：28 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：12A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：890W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2012
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Положение терминала：SINGLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：890W
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2 Ω @ 6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3720pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：106nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1500V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Непрерывный ток стока (ID)：12A
- Код JEDEC-95：TO-247AD
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
- Сопротивление открытого канала-макс：2Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：40A
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：750 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 44
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
