IXFK200N10P

Name: IXYS IXFK200N10P
Brand: IXYS
Rating: 4.5 (18 reviews)

IXYS
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-264-3, TO-264AA
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
Date Sheet

Lagernummer 1262

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：30 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-264-3, TO-264AA
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：200A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：830W Tc
Время отключения：150 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Bulk
Серия：HiPerFET™, PolarP2™
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e1
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：7.5MOhm
Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：830W
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.5m Ω @ 100A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 8mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7600pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：235nC @ 10V
Время подъема：35ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：90 ns
Непрерывный ток стока (ID)：200A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：100V
Максимальный импульсный ток вывода：400A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：4000 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1262

Итого $0.00000