(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IXTX200N10L2
Изображение служит лишь для справки
IXTX200N10L2
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS247
Date Sheet
Lagernummer 382
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：28 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Количество контактов：247
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：200A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：1040W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：Linear L2™
- Опубликовано：2010
- Код JESD-609：e1
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Положение терминала：SINGLE
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：1.04kW
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：11m Ω @ 100A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 3mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：23000pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：540nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：200A
- Максимальный импульсный ток вывода：500A
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：5000 mJ
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 382
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
