(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IXTK210P10T
Изображение служит лишь для справки
IXTK210P10T
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Date Sheet
Lagernummer 124
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：28 Weeks
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：1
- Рабочая температура (макс.)：150°C
- Опубликовано：2013
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-264AA
- Максимальный сливовой ток (ID)：210A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0075Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：800A
- Минимальная напряжённость разрушения：100V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：3000 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1040W
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 124
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
