(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IXTX120P20T
Изображение служит лишь для справки
IXTX120P20T
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247
Date Sheet
Lagernummer 187
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：17 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：120A Tc
- Количество элементов：1
- Рабочая температура (макс.)：150°C
- Пакетирование：Tube
- Серия：TrenchP™
- Опубликовано：2012
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Максимальная потеря мощности：1.04kW
- Положение терминала：SINGLE
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：30m Ω @ 60A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：73000pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：740nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：200V
- Непрерывный ток стока (ID)：120A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.03Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：400A
- Минимальная напряжённость разрушения：200V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：3000 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 187
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
