Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSS138-13-F
![](https://static.whisyee.com/dimg/diodesincorporated-dlpt057f-6342.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
BSS138-13-F
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans Mosfet N-ch 50V 200MA 3-PIN SOT-23 T/r
Date Sheet
Lagernummer 470
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:200mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:300mW Ta
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3.5 Ω @ 220mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:50pF @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):50V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 470
Итого $0.00000