Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN65D8LQ-13
![](https://static.whisyee.com/dimg/diodesincorporated-dlpt057f-6342.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
DMN65D8LQ-13
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET N-CH 60V SOT23
Date Sheet
Lagernummer 10119
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:14 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:310mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния:370mW Ta
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2015
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3 Ω @ 115mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:22pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:0.87nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):310mA
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 10119
Итого $0.00000