Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN3731U-7
![](https://static.whisyee.com/dimg/diodesincorporated-dlpt057f-6342.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
DMN3731U-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Transistor MOSFET N-Channel 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet
Lagernummer 4222
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:900mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.8V 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния:400mW
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:460m Ω @ 200mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:0.95V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:73pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:5.5nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):±8V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 4222
Итого $0.00000