Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TSM2N7000KCT B0G
![](https://static.whisyee.com/dimg/taiwansemiconductorcorporation-ts13002actb0g-3874.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
TSM2N7000KCT B0G
-
Taiwan Semiconductor Corporation
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Поставщик упаковки устройства:TO-92
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:300mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния:400mW Ta
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Bulk
- Состояние изделия:Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:5Ohm @ 100mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:7.32pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:0.4nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000