Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SSM3K15CT(TPL3)
![](https://static.whisyee.com/dimg/toshibasemiconductorandstorage-df3a68lctl3f-0856.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
SSM3K15CT(TPL3)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-101, SOT-883
- MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
Date Sheet
Lagernummer 100000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-101, SOT-883
- Количество контактов:3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:100mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):2.5V 4V
- Максимальная мощность рассеяния:100mW Ta
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:π-MOSVI
- Опубликовано:2007
- Состояние изделия:Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:100mW
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:4 Ω @ 10mA, 4V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.5V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:7.8pF @ 3V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):100mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальный сливовой ток (ID):0.1A
- Напряжение пробоя стока к истоку:30V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 100000
Итого $0.00000