Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN10H220LQ-7
![](https://static.whisyee.com/fimg/diodesincorporated-dmn10h220lq7-3062.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
DMN10H220LQ-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Date Sheet
Lagernummer 179579
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:23 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:1.6A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния:1.3W Ta
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:220m Ω @ 1.6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:401pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:8.3nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):100V
- Угол настройки (макс.):±16V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 179579
Итого $0.00000