Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PMG85XP,115
![](https://static.whisyee.com/dimg/nexperiausainc-pusb2x4yh-6260.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
PMG85XP,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- PMG85XP - 20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 80
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Количество контактов:6
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:2A Tj
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):2.5V 4.5V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:375mW Ta 2.4W Tc
- Время отключения:39 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2011
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Сопротивление:115MOhm
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Число контактов:6
- Распад мощности:375mW
- Время задержки включения:13 ns
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:115m Ω @ 2A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.15V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:560pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:7.2nC @ 4.5V
- Время подъема:35ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Угол настройки (макс.):±12V
- Время падения (тип):25 ns
- Непрерывный ток стока (ID):2A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):12V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками:-20V
- Напряжение пробоя стока к истоку:-20V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 80
Итого $0.00000