(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SSM5N15FE(TE85L,F)
Изображение служит лишь для справки
SSM5N15FE(TE85L,F)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-553
- MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
Date Sheet
Lagernummer 2560
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-553
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V 4V
- Максимальная мощность рассеяния：150mW Ta
- Время отключения：180 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Серия：π-MOSVI
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Код соответствия REACH：unknown
- Каналов количество：2
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Время задержки включения：50 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4 Ω @ 10mA, 4V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7.8pF @ 3V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：100mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：1.5V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.1A
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 2560
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
