(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN2501UFB4-7
Изображение служит лишь для справки
DMN2501UFB4-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 3-XFDFN
- MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
Date Sheet
Lagernummer 2627
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：3-XFDFN
- Количество контактов：3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния：500mW Ta
- Время отключения：40.4 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2015
- Код JESD-609：e4
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Каналов количество：1
- Время задержки включения：6.6 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：400m Ω @ 600mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：82pF @ 16V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2nC @ 10V
- Время подъема：6.4ns
- Угол настройки (макс.)：±8V
- Время падения (тип)：17.3 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：1A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
- Напряжение пробоя стока к истоку：20V
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 2627
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
