Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN2230UQ-13

Изображение служит лишь для справки






DMN2230UQ-13
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET NCH 20V 2A SOT23
Date Sheet
Lagernummer 12
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:2A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.8V 4.5V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:600mW Ta
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:110m Ω @ 2.5A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:188pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:2.3nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Угол настройки (макс.):±12V
- Непрерывный ток стока (ID):2A
- Максимальный сливовой ток (ID):2A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.11Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:20V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 12
Итого $0.00000