Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PMV25ENEAR

Изображение служит лишь для справки






PMV25ENEAR
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET N-CH 30V TO-236AB
Date Sheet
Lagernummer 8045
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:5.5A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:460mW Ta 6.94W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Опубликовано:2016
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:3
- Нормативная Марка:AEC-Q101; IEC-60134
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:24m Ω @ 5.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:597pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:18nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Код JEDEC-95:TO-236AB
- Максимальный сливовой ток (ID):5.5A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.024Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:30V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 8045
Итого $0.00000