(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MCH3376-TL-E
Изображение служит лишь для справки
MCH3376-TL-E
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 3-SMD, Flat Lead
- MOSFET P-CH 8A 20V MCPH3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：3-SMD, Flat Lead
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.5A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния：800mW Ta
- Время отключения：12 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e6
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Число контактов：3
- Конфигурация элемента：Single
- Время задержки включения：4 ns
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：241m Ω @ 750mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：120pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.7nC @ 4.5V
- Время подъема：3.3ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Угол настройки (макс.)：±10V
- Время падения (тип)：5.4 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：1.5A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：10V
- Высота：850μm
- Длина：2mm
- Ширина：1.6mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
