(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIJ470DP-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIJ470DP-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® SO-8
- MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Date Sheet
Lagernummer 702
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8
- Количество контактов：5
- Вес：506.605978mg
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：58.8A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：7.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：5W Ta 56.8W Tc
- Время отключения：22 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：ThunderFET®
- Опубликовано：2013
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：5W
- Время задержки включения：12 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9.1m Ω @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2050pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：56nC @ 10V
- Время подъема：8ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：7 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：58.8A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：100V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 702
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
